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参数资料
| 型号： | NTLUF4189NZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 95pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUF4189NZ
TYPICAL MOSFET CHARACTERISTICS
150
125
100
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
V DS
Q T
20
15
3
V GS
75
Q GS
Q GD
10
2
50
25
0
C rss
0
C oss
5
10
15
20
25
30
1
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V GS = 15 V
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
1.25
5
0
1.5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
1
V GS = 4.5 V
V DD = 15 V
I D = 1.0 A
t f
t d(off)
t d(on)
t r
10
1.0
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.1
1
10
100
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
1.4
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
175
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I D = 250 m A
150
125
100
75
50
25
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
0
150 0.0000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100 1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
5
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTLUS3192PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Cool Single P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3192PZTAG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3192PZTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A18PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??8.2 A, Single Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm Cool UDFN Package |
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