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参数资料
| 型号： | NTLUF4189NZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 95pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUF4189NZ
TYPICAL MOSFET CHARACTERISTICS
10
1
V GS = 8 V
0.1 SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
175
150
125
100
75
0.5
50
0.2
25 0.1
0.05
0
0.000001
0.00001
0.0001
Single Pulse
0.001
0.01
0.02
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTLUS3192PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Cool Single P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3192PZTAG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3192PZTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUS3A18PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??8.2 A, Single Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm Cool UDFN Package |
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