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参数资料
| 型号： | NTLUS3A39PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTLUS3A39PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
5
18
1600
1400
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
4
Q T
15
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C iss
C oss
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
3
2 Q GS
1
0
0
V DS
2
Q GD
4
6
8
V GS
V DS = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
10
12
9
6
3
0
12
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000.0
100.0
t d(off)
10.0
t r
t f
1.0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
10.0
t d(on)
1.0
1
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
T J = ? 55 ° C
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.85
0.75
I D = ? 250 m A
100
0.65
0.55
10
10 m s
100 m s
0.45
0.35
0.25
0.15
1
0.1
0.01
0 ≤ V GS ≤ ? 8 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1 ms
10 ms
dc
50
25
0 25 50 75 100 125
150
0.1
1 10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS3A40PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 9.4Cool Single P Channel ESD 2.0x2.0x0.55 mm UDFNPackage |
| NTLUS3A40PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A40PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH UDFN SING RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A90PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.0 A, Cool Single Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3A90PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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