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参数资料
| 型号： | NTLUS3A39PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTLUS3A39PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
90
80
70
60
50
40
R q JA = 85 ° C/W
Duty Cycle = 0.5
30
20
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
1E ? 03
1E ? 02 1E ? 01
t, TIME (s)
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
Figure 13. FET Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NTLUS3A39PZTAG
NTLUS3A39PZTBG
Package
UDFN6
(Pb ? Free)
UDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLUS3A40PZTBG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| NTLUS3A90PZTBG | POWER MOSFET 20V 3A 60 MO UDFN6 |
| NTLUS4195PZTBG | MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN |
| NTMD2C02R2SG | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC |
| NTMD2P01R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS3A40PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 9.4Cool Single P Channel ESD 2.0x2.0x0.55 mm UDFNPackage |
| NTLUS3A40PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A40PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 T4 20/8 PCH UDFN SING RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A90PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.0 A, Cool Single Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3A90PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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