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参数资料
| 型号： | NTLUS3A40PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-uDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUS3A40PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10 m s
10
1
V GS = ? 8 V
Single Pulse
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
80
70
60
50
40
30
Duty Cycle = 0.5
R q JA = 72 ° C/W
20 0.2
0.05
0.02
0.01
10 0.1
0
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
Single Pulse
1E ? 03 1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NTLUS3A40PZTAG
NTLUS3A40PZTBG
Package
UDFN6
(Pb ? Free)
UDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLUS3A90PZTBG | POWER MOSFET 20V 3A 60 MO UDFN6 |
| NTLUS4195PZTBG | MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN |
| NTMD2C02R2SG | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC |
| NTMD2P01R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
| NTMD4184PFR2G | MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUS3A90PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.0 A, Cool Single Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS3A90PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS3A90PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 3A 60 MO RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUS4195PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −4.0 A, Cool Single P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUS4195PZTAG | 功能描述:MOSFET NFET UDFN6 30V 3A 95 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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