- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTMFS4120NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4120NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4120NT1GOSCT |
NTMFS4120N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6000
T J = 25 ° C
5
QT
5000
4000
C iss
4
Q GS
Q GD
V GS
3
3000
C oss
C rss
2000
1000
0
0 5 10
15 20
25
2
1
0
0
5
10 15
20
25
V DD = 15 V
V GS = 4.5 V
I D = 24 A
T J = 25 ° C
30
35
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
45
40
35
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
30
100
t f
t r
25
20
15
t d(off)
t d(on)
10
5
10
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
500
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
450
I D = 30 A
100
10 m s
400
350
10
100 m s
1 ms
300
250
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
10 ms
dc
200
150
100
0.01
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100
50
0
25
50
75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4121NT1G | MOSFET N-CHAN 17A 30V SO-8FL |
| NTMFS4122NT1G | MOSFET N-CHAN 14A 30V SO-8FL |
| NTMFS4701NT3G | MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL |
| NTMFS4707NT3G | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8 FL |
| NTMFS4708NT3G | MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8 FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4120NT3G | 功能描述:MOSFET 30V 31A Single N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4121N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 29 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead |
| NTMFS4121NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4121NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4122N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。