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参数资料
| 型号： | NTMFS4833NST1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SENSEFET® |
| FET 型： | * |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5250pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | SO-8FL |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4833NS
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
200
180
160
140
120
4.0 V thru 6.0 V
T J = 25 ° C
3.8 V
3.6 V
3.4 V
200
175
150
125
V DS ≥ 10 V
100
100
80
60
40
3.2 V
3.0 V
75
50
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
20
0
0
1
2
3
4
2.8 V
5
25
0
1.5
2
2.5
3
T J = ? 55 ° C
3.5
4
4.5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.004
0.003
0.002
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
0.006
0.004
0.002
0.001
V GS = 10 V
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
10
20
30
40
50
60
1.80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
I D = 30 A
V GS = 10 V
10,000
1,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.60
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NT3G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| NTMFS4834NT3G | MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL |
| NTMFS4836NT1G | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL |
| NTMFS4837NT1G | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL |
| NTMFS4839NT3G | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NST3G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4833NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4833NT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 191A DFN5 |
| NTMFS4833NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4834N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N−Channel, SO−8FL |
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