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参数资料
| 型号： | NTMFS4833NST1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SENSEFET® |
| FET 型： | * |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 86nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5250pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | SO-8FL |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4833NS
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
100
50% (DUTY CYCLE)
10
1.0
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JA = 54 ° C/W
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NT3G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NST3G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4833NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4833NT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 191A DFN5 |
| NTMFS4833NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4834N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N−Channel, SO−8FL |
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