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参数资料
| 型号： | NTMFS4834NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4834N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
200
180
160
140
V GS = 5 to 6 V
T J = 25 ° C
4.2 V
4.0 V
200
180
160
140
V DS ≥ 10 V
120
100
80
3.8 V
3.6 V
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
3.4 V
3.2 V
3.0 V
5
60
40
20
0
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
30
25
20
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.007
0.006
0.005
0.004
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
15
0.003
10
5
0.002
0.001
V GS = 11.5 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.5
1.0
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
1,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.5
100
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
2
4
8
12
16
20
24
28
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4836NT1G | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4835N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4835NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4835NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4836N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions |
| NTMFS4836NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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