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参数资料
| 型号： | NTMFS4834NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4834N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Q T
I D = 30 A
T J = 25 ° C
6500
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
15
C iss
C rss
10
5
V GS
0
C oss
5
V DS
10
15
T J = 25 ° C
C iss
20 25
30
12
10
8
6
4
2
0
0
20
18
16
V DS V GS 14
12
10
8
Q gs Q gd 6
4
2
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V DS = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
30
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
560
520
I D = 32 A
100
10 m s
100 m s
480
440
400
360
10
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
1 ms
10 ms
dc
100
320
280
240
200
160
120
80
40
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4835N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4835NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4835NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4836N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions |
| NTMFS4836NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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