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参数资料
| 型号： | NTMFS4839NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1588pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4839N
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
I D = 30 A
V GS = 10 V & 4.5 V
100000
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.80
0.60
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
4
8
12
16
20
24
28
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
3000
2800
2600
2400
2200
2000
C ISS
T J = 25 ° C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
C RSS
C ISS
C OSS
200
0
15
10
5
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
V GS
V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q T
V GS
I D = 30 A
T J = 25 ° C
12
10
8
6
4
2
0
0
V DS
Q GS
2.5
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
Q GD 7
6
5
4
3
2
1
0
5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 22.5 25 27.5 30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Gate Charge
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTMFS4841NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4841NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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