- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTMFS4839NT3G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4839NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1588pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4839N
1000
30
V DS = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
1
t d(off)
t f
t r
t d(on)
20
15
10
5
0
1
10
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
T C = 25 ° C
1000
V GS = 20 V
Single Pulse
100
10
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
0.1
0.1 1
10
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
I D = 19 A
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4841NT3G | MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL |
| NTMFS4845NT3G | MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL |
| NTMFS4846NT3G | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
| NTMFS4847NAT3G | MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL |
| NTMFS4849NT3G | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4841N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4841NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4841NHT1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4841NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4841NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。