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参数资料
| 型号： | NTMFS4847NAT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.1 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2614pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4847N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
10.5
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
20.8
28.1
6.5
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.8
0.7
1.0
V
Reverse Recovery Time
t RR
15.4
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
8.2
7.2
6.0
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.93
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
Gate Resistance
R G
0.9
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
TYPICAL CHARACTERISTICS
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10V
0
1
5.0 V
4.5 V
4.2 V
4.0 V
2
3
T J = 25 ° C
4
5
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
6
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V DS ≥ 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1 2
T J = ? 55 ° C
3 4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
TYPICAL CHARACTERISTICS
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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