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参数资料
| 型号： | NTMFS4847NAT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.1 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2614pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4847N
0.040
0.008
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 11.5 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0.002
30
40
50
60
70
80
90
100
110 120
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 30 A
V GS = 10 V
10,000
V GS = 0 V
1.4
1.2
1.0
0.8
1000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
3200
2800
2400
C iss
T J = 25 ° C
12
11
10
9
QT
V GS
2000
1600
8
7
6
1200
800
C oss
5
4
3
Q gs
Q gd
400
0
0
C rss
4
8
12
16
20
24
28
32
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
I D = 30 A
T J = 25 ° C
36 40
44
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
http://onsemi.com
4
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4847NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4847NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4849N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 71 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4849N_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 71 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4849NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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