参数资料
型号: NTMFS4847NAT3G
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.1 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2614pF @ 12V
功率 - 最大: 880mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装: 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装: 带卷 (TR)
NTMFS4847N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
30
100
V DS = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
t f
t d(off)
t r
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
t d(on)
10
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
180
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
160
I D = 33 A
100
10 m s
140
120
10
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
0.1 1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
140
120
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
100
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
80
10
125 ° C
100 ° C
25 ° C
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
V DS = 1.5 V
90 105
120
1
1
10
100
1000
10,000
DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. g FS vs. Drain Current
http://onsemi.com
5
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 14. I d vs. Pulse Width
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