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参数资料
| 型号： | NTMFS4899NFT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4899NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
180
T J = 25 ° C
180
160
140
120
100
80
60
7 V to
10 V
V GS = 4.6 V
4.8 V
5V
6V
4.4 V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
160 V DS = 10 V
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
3.2 V
3V
2.8 V
2.6 V
4 4.5
5
40
20
0
1
T J = 25 ° C
1.5 2
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
2.5 3 3.5
4
4.5
5
1.1E ? 02
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
9E ? 03
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1E ? 02
9E ? 03
8E ? 03
ID = 30 A
T J = 25 ° C
8E ? 03
7E ? 03
6E ? 03
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
7E ? 03
6E ? 03
5E ? 03
4E ? 03
5E ? 03
4E ? 03
3E ? 03
V GS = 10 V
3E ? 03
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
2E ? 03
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
1.8
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus V GS
1.0E ? 01
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.7
ID = 30 A
V GS = 0 V
1.6
1.5
1.4
1.3
V GS = 10 V
1.0E ? 02
1.0E ? 03
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.1
1
1.0E ? 04
0.9
0.8
0.7
1.0E ? 05
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1.0E ? 06
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4921N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4921NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4921NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4922NET1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4923NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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