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参数资料
| 型号： | NTMFS4899NFT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 920mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4899NF
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
11
1800
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
Q T
1400
1200
1000
800
600
400
200
C oss
C rss
8
7
6
5
4
3
2
1
Q gs
Q gd
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
0
0
5
10 15 20 25
30
0
0
5 10 15 20
25
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
ID = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
15
10
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0.9
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
90
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
1
0.1
V GS = 30 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
80
70
60
50
40
30
20
10
I D = 41 A
0.01
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
1
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PDF描述 |
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| NTMFS4922NET1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4923NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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