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参数资料
| 型号： | NTMFS4921NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.95 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4921NT1GOSDKR |
NTMFS4921N
2000
12
1800
1600
1400
1200
1000
T J = 25 ° C
C iss
10
8
6
QT
800
600
400
200
C oss
C rss
4
2
Q gs
Q gd
V GS
ID = 30 A
T J = 25 ° C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
4
8
12
16
20
24
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
20
15
10
5
1
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
90
80
70
I D = 24 A
10
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4922NET1G | MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL |
| NTMFS4923NET3G | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL |
| NTMFS4925NET1G | MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL |
| NTMFS4925NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.7A SO-8FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4921NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4922NET1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4923NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4923NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4925N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 48 A, Single Na??Channel, SOa??8 FL |
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