参数资料
型号: NTMFS4921NT1G
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.95 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 12V
功率 - 最大: 870mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装: 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装: 标准包装
其它名称: NTMFS4921NT1GOSDKR
NTMFS4921N
90
100
80
70
60
V DS = 1.5 V
10
125 ° C
100 ° C
25 ° C
50
40
30
20
10
1
0
0
10
20
30
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70
80
90
0.1
0.1
1
10
100
1000
10000
DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. g FS vs. Drain Current
http://onsemi.com
6
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 14. Avalanche Characteristics
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PDF描述
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参数描述
NTMFS4921NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4922NET1G 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 147A 2MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4923NET1G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4923NET3G 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 91A 3.3mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4925N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 48 A, Single Na??Channel, SOa??8 FL