参数资料
型号: NTMFS5844NLT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL
标准包装: 1,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1460pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装: 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装: 带卷 (TR)
NTMFS5844NL, NVMFS5844NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
80
70
10 V
V GS = 5 V
4.0 V
T J = 25 ° C
80
70
V DS ≥ 10 V
60
50
40
30
3.8 V
3.6 V
3.4 V
60
50
40
30
20
3.2 V
20
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
3
3.0 V
2.8 V
4
5
10
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.016
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.014
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.020
0.012
0.015
0.010
0.010
V GS = 10 V
0.005
2
4
6
8
10
12
0.008
5
10
15
20
25
30
35
40
2.5
2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
V GS = 10 V
I D = 10 A
100,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.5
10,000
T J = 150 ° C
1
1,000
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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