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参数资料
| 型号： | NTMS4176PR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1720pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4176P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20
18
16
14
12
-10V
-5 V
-4.5 V
-4.2 V
-4 V
T J = 25 ° C
-3.6 V
-3.4 V
20
18
16
14
12
V DS ≥ 10 V
10
8
-3.8 V
-3.2 V
10
8
6
6
T J = 125 ° C
4
-3.0 V
4
T J = 25 ° C
2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-2.8 V
4.5 5.0
2
0
1.5
2.5
T J = -55 ° C
3.5
4.5
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.13
0.11
T J = 25 ° C
I D = -9.6 A
0.030
T J = 25 ° C
0.025
0.09
0.07
0.05
0.03
0.020
0.015
V GS = -4.5 V
V GS = -10 V
0.01
2
4
6
8
10
0.010
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1.6
1.4
1.2
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
I D = -9.6 A
V GS = -10 V
10000
-I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1000
1.0
0.8
T J = 125 ° C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTMS4503N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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