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参数资料
| 型号： | NTMS4503NR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4503NR2OSCT |
NTMS4503N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
30
V GS = 10, 3.6, 3.2 V
3V
T J = 25 ° C
35
V DS ≥ 10 V
25
30
20
2.8 V
25
20
15
15
10
2.6 V
10
T J = 25 ° C
5
0
2.4 V
2.2 V
5
0
T J = ?55 ° C
T J = 100 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.011
0.010
0.009
I D = 14 A
T J = 25 ° C
0.012
0.011
0.010
0.009
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.008
0.008
0.007
V GS = 10 V
0.006
0.007
0.005
0.006
0.004
1
3
5
7
9
11
4
8
12
16
20
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 14 A
V GS = 4.5 V
1000
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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