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参数资料
| 型号： | NTMS4503NR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4503NR2OSCT |
NTMS4503N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4200
3600
3000
2400
C iss
C rss
T J = 25 ° C
C iss
5
4
3
Q GS
V DS
QT
Q GD
V GS
20
16
12
1800
1200
C oss
2
1
8
4
600
0
V DS = 0 V
V GS = 0 V
C rss
0
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0
10
5
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
10
Figure 8. Gate?To?Source and
Drain?To?Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 16 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
t r
t f
t d(off)
t d(on)
9
8
7
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
10
3
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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