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参数资料
| 型号： | NTMS4800NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4800N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
12.5
10
7.5
10V
4.5 V
4V
3.8 V
T J = 25 ° C
3.6 V
3.4 V
12.5
10
7.5
V DS ≥ 10 V
5
2.5
3.2 V
5
2.5
T J = 125 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.8 V
2.0
3.0 V
2.5
0
1
1.5
T J = 25 ° C
2 2.5
3
T J = ? 55 ° C
3.5 4
4.5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.095
0.085
0.075
0.065
T J = 25 ° C
I D = 7.5 A
0.030
0.025
0.020
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.055
0.045
0.015
0.035
0.025
0.015
0.010
0.005
V GS = 10 V
0.005
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
8
10
12
14
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
100000
V GS = 0 V
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10000
1000
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMS4802N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 18 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4802NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 13.6A N-CH 0.009OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4807N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 |
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