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参数资料
| 型号： | NTMS4807NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 29/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 14.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4807N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
35
30
5V
4.5 V
4V
T J = 25 ° C
3.5 V
30
25
V DS ≥ 10 V
25
20
20
15
3.3 V
15
10
3.1 V
10
T J = 100 ° C
5
2.5 V
2.7 V
2.9 V
5
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
0.0425
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.02
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.0375
0.0325
0.0275
0.0225
0.0175
0.0125
0.0075
T J = 25 ° C
I D = 12.2 A
0.0175
0.015
0.0125
0.01
0.0075
0.005
0.0025
T J = 25 ° C
V GS = 4 V
V GS = 10 V
0.0025
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
1.6
1.4
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
I D = 12.2 A
V GS = 10 V
1000000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.2
1.0
0.8
100000
10000
1000
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
100
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4816NR2G | MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMS4816NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4840N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N−Channel, SOIC−8 |
| NTMS4840NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 30A 24MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4872N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.2 A, N−Channel, SO−8 |
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