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参数资料
| 型号： | NTMS4807NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 29/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.1 毫欧 @ 14.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4807N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4200
T J = 25 ° C
10
9
QT
20
3500
C iss
V GS = 0 V
8
V DS
16
2800
2100
7
6
5
V GS
12
1400
C oss
4
3
Q GS
Q GD
8
700
0
C rss
2
1
0
I D = 14.8 A
T J = 25 ° C
4
0
0
5 10
15
20
25
30
0
5
10 15
20
25
30
35
40
45
50
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
6
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and
Drain-To-Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 24 V
I D = 6.1 A
V GS = 10 V
t d(off)
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
4
3
t r
2
t d(on)
1
10
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
10 m s
100
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 14 A
10
100 m s
1 ms
75
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
10 ms
50
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
25
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75 100
125
150
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4816NR2G | MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4816N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8 |
| NTMS4816NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4840N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N−Channel, SOIC−8 |
| NTMS4840NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 30A 24MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4872N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.2 A, N−Channel, SO−8 |
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