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参数资料
| 型号： | NTMS4937NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2563pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4937N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
10V
4.5 V
4V
3.6 V
3.2 V
3V
1.0
2.0
3.0
T J = 25 ° C
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
4.0 5.0
52
48
44
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
1.5
V DS ≥ 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2
2.5
T J = ? 55 ° C
3
3.5
0.050
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.008
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.040
T J = 25 ° C
I D = 7.5 A
0.007
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.030
0.006
0.020
0.010
0.005
V GS = 10 V
0.000
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.004
4
9
14
19
24
29
1.8
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.0
0.8
1000
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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