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参数资料
| 型号： | NTMSD3P102R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD3P102R2GOS |
NTMSD3P102R2
10000
V GS = 0 V
1200
V DS = 0 V
V GS = 0 V
C iss
1000
T J = 150 ° C
1000
800
600
C rss
C iss
100
T J = 125 ° C
400
200
C oss
C rss
T J = 25 ° C
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
5
-V GS
0
5
-V DS
10
15
20
12
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
24 1000
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
V DS = -20 V
10
Q T
20
I D = -3.05 A
V GS = -10 V
V DS
8
V GS
16
100
t d(off)
6
12
t f
4
Q 1
Q 2
8
10
t d(on)
t r
2
4
0
0
2
4
6
8
10
I D = -3.05 A
T J = 25 ° C
12 14
0
16
1
1
10
100
1000
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
3
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V DS = -20 V
I D = -1.5 A
V GS = -4.5 V
2.5
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
t f
t d(off)
t d(on)
1.5
1
0.5
10
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
-V SD , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMSD3P303R2G | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD3P102R2SG | 功能描述:MOSFET FETKY 20V .085R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTMSD3P303R2 | 功能描述:MOSFET -30V -3.05A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTMSD3P303R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package |
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