- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录492 > NTP5863NG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTP5863NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 97A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTP5863N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C Unless otherwise specified)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V DS = 0 V, I D = 250 m A
I D = 250 m A, ref to 25 ° C
60
47
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V
V DS = 60 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.0
50
m A
Gate ? Body Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = $ 20 V
$ 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature Coefficient
V GS(th)
V GS(th) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
2.0
9.1
4.0
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On ? Resistance
Forward Transconductance
R DS(on)
g FS
V GS = 10 V, I D = 20 A
V DS = 15 V, I D = 30 A
6.5
12
7.8
m W
S
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C iss
3200
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
C oss
C rss
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1 MHz
350
230
Total Gate Charge
Q G(TOT)
55
nC
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 48 V,
I D = 48 A
3.4
14.5
19
Gate Resistance
R G
0.4
W
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 10 V (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
10
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DD = 48 V,
I D = 48 A, R G = 2.5 W
34
25
9.0
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V
I S = 48 A
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
0.96
0.85
1.5
V dc
Reverse Recovery Time
t rr
32
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V dc , I S = 48 A dc ,
dI S /dt = 100 A/ m s
20
12
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
28
nC
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP5864NG | MOSFET N-CH 60V 63A TO-220 |
| NTP60N06LG | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB |
| NTP65N02RG | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB |
| NTP75N03-006 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
| NTP75N03L09G | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5864NG | 功能描述:MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5N60/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 600 Volts |
| NTP60N06 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP60N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts |
| NTP60N06G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。