参数资料
型号: NTP5863NG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 97A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3200pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
NTP5863N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
10
1 D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTP5863NG
Device
Package
TO ? 220AB
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
NTP5864NG 功能描述:MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP5N60/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps, 600 Volts
NTP60N06 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP60N06/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts
NTP60N06G 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube