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参数资料
| 型号： | NTP5863NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 97A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTP5863N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
4000
3500
3000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
V DS
QT
V GS
75
60
2500
6
Q gs
Q gd
45
2000
1500
4
30
1000
500
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
50
60
2
0
0
10
20
30
40
I D = 48 A
T J = 25 ° C
50
15
0
60
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 48 V
I D = 48 A
V GS = 10 V
100
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
60
10
t d(off)
t f
t d(on)
40
20
1
1
10
100
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
160
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
100 m s
1 ms
10 ms
dc
10 m s
140
120
I D = 56 A
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
80
60
1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
40
20
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP5864NG | MOSFET N-CH 60V 63A TO-220 |
| NTP60N06LG | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB |
| NTP65N02RG | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB |
| NTP75N03-006 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
| NTP75N03L09G | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5864NG | 功能描述:MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5N60/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 600 Volts |
| NTP60N06 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP60N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts |
| NTP60N06G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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