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参数资料
| 型号： | NTR0202PLT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTR0202PLT1OS |
NTR0202PL, NVTR0202PL
0.75
0.5
0.25
V GS = ? 10 V
? 6 V
? 5.5 V
? 5 V
? 4.5 V
T J = 25 ° C
? 4 V
? 3.5 V
? 3 V
? 2.5 V
1
0.75
0.5
0.25
V DS ≥ ? 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 40 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1.0
0
0
1
2
3
4
5
1.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
T J = 150 ° C
1.0
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
1
0.75
V GS = ? 4.5 V
0.5
0
T J = 25 ° C
T J = 40 ° C
0.5
0.25
0
V GS = ? 10 V
0.125
0.25
0.375
0.5
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875 1.0
2.5
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
1000
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
V GS = 0 V
2
100
T J = 150 ° C
1.5
1
I D = ? 0.05 A
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 0.2 A
V GS = ? 10 V
10
0.5
0
1
0.1
T J = 25 ° C
? 40
? 15
10
35
60
85
110
135
150
2
6
10
14
18
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTR1P02LT3G | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 |
| NTR1P02T1 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
| NTR2101PT1G | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR0202PLT1G | 功能描述:MOSFET -20V -400mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR0202PLT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTR Series P-Channel 20 V 550 mOhm 225 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23 |
| NTR0202PLT3 | 功能描述:MOSFET -20V -400mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR0202PLT3G | 功能描述:MOSFET -20V -400mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR02D1000CTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
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