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参数资料
| 型号： | NTR1P02T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 165pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTR1P02T1OS |
NTR1P02, NVR1P02
2.5
2.25
2
1.75
? 4.5 V
? 4 V
T J = 25 ° C
? 3.5 V
2
1.75
1.5
V DS ≥ ? 10 V
T J = 25 ° C
1.5
1.25
1.25
1
1
0.75
0.5
0.25
? 3 V
V GS = ? 2.5 V
0.75
0.5
0.25
T J = 125 ° C
T J = ? 40 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
0
1
1.5
2
2.5 3 3.5
4
0.45
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.275
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
V GS = ? 4.5 V
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 40 ° C
0.25
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.075
V GS = ? 10 V
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 40 ° C
0.05
0.1 0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.05
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
2.5
2
I D = ? 1.5 A
V GS = ? 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
100
1.5
1
0.5
10
T J = 125 ° C
0
? 45
? 20
5
30
55
80
105
130
155
1
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTR1P02T3G | 功能描述:MOSFET -20V -1A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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