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参数资料
| 型号： | NTR4501NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR4501N, NVR4501N
Electrical Characteristics (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
20
24.5
22
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V
V DS = 16 V
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
1.5
10
m A
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage (Note 3)
Negative Threshold
Temperature Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
0.65
? 2.3
1.2
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
Forward Transconductance
R DS(on)
g FS
V GS = 4.5 V, I D = 3.6 A
V GS = 2.5 V, I D = 3.1 A
V DS = 5.0 V, I D = 3.6 A
70
88
9
80
105
m W
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C iss
200
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Gate ? to ? Source Gate Charge
Gate ? to ? Drain Charge
C oss
C rss
Q G(TOT)
Q GS
Q GD
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 10 V
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V,
I D = 3.6 A
80
50
2.4
0.5
0.6
6.0
pF
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
6.5
13
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V,
I D = 3.6 A, R G = 6.0 W
12
12
3
24
24
6
ns
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I SD = 1.6 A
0.8
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
7.1
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V,
d IS /d t = 100 A/ m s,
I S = 1.6 A
5
1.9
3.0
ns
nC
3. Pulse Test: Pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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