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参数资料
| 型号： | NTR4501NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR4501N, NVR4501N
350
300
250
200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5.0
4.0
3.0
V DS
Q T
V GS
15
12
9
150
2.0
Q GS
Q GD
6
100
50
0
0
2.5
5
7.5
10
C oss
C rss
12.5
15
17.5
20
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
T J = 25 ° C
I D = 3.2 A
2.5
3
0
3.0
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
4
10
V DS = 10 V
I D = 3.2 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t r
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
2
t f
1
1
0.1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
D = 0.5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
10
1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME, tp (s)
Figure 11. Thermal Response
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTR4502P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23 |
| NTR4502PT1 | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4502PT1G | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4502PT3 | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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