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参数资料
| 型号： | NTR4501NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR4501N, NVR4501N
7.0
6.0
5.0
4.0
V GS = 10 V
V GS = 2.2 V
V GS = 3.0 V
V GS = 2.0 V T J = 25 ° C
V GS = 1.8 V
8
7
6
5
V DS ≥ 10 V
4
3.0
V GS = 1.6 V
3
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
V GS = 1.4 V
V GS = 1.2 V
6 7
8
9
10
2
1
0
0.5
T J = 125 ° C
1.0
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.5
2.0
2.5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
0.20
I D = 3.2 A
T J = 25 ° C
0.10
0.09
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.08
0.15
0.10
0.07
0.06
V GS = 4.5 V
0.05
1
2
3
4
5
6
0.05
2
3
4
5
6
1.4
1.2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D = 3.2 A
V GS = 4.5 V
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
100
1.0
10
0.8
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1.0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASEMPC-12.500MHZ-LR-T | OSC 12.500 MHZ CMOS MEMS SMD |
| ATS10A-E | CRYSTAL 10.0 MHZ 20 PF FUND |
| YB226CWCSW01-6G-JS | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| 48172 | PNEU HEAD 6AWG STRATO-THERM |
| ASA1-44.000MHZ-L-T | OSC 44.000 MHZ 2.5V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4501NT3H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTR4502P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23 |
| NTR4502PT1 | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4502PT1G | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4502PT3 | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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