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参数资料
| 型号： | NTS2101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323, SOT-416 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 8V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTS2101PT1GOSDKR |
NTS2101P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
8.0
?2.2 V
T J = 25 ° C
?2.0 V
8.0 V
DS w ?10 V
6.0
V GS = ?2.5 V to ?4.5 V
?1.8 V
6.0
4.0
?1.6 V
4.0
2.0
?1.4 V
?1.2 V
?1.0 V
2.0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.16
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = ?4.5 V
0.16
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = ?2.5 V
0.12
T J = 125 ° C
0.12
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.08
0.04
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.08
0.04
T J = ?55 ° C
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Drain Current and
Temperature
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current
and Temperature
1.5
I D = ?1.0 A
V GS = ?4.5 V
1000
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
800
1.3
C ISS
600
1.1
400
0.9
200
C RSS
C OSS
0.7
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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