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参数资料
| 型号： | NTS2101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-323, SOT-416 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 8V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTS2101PT1GOSDKR |
NTS2101P
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
4
Q T
4.0
3.0
V GS = 0 V
3
2.0
2
Q GS
Q GD
T J = 125 ° C
1
0
0
2.0
4.0
V DS = ?5.0 A
I D = ?1.0 A
T A = 25 ° C
6.0
8.0
1.0
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1.0
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate?to?Source and Drain?to?Source
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
Voltage vs. Total Gate Charge
http://onsemi.com
4
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