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参数资料
| 型号： | NTS4409NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTS4409NT1GOSDKR |
NTS4409N, NVS4409N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
3.2
2.4
8V
4.5 V
3V
T J = 25 ° C
3.2
2.4
V DS ≥ 10 V
1.6
0.8
2.5 V
V GS = 2 V
1.6
0.8
V GS = 1.5 V
25 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
T J = 125 ° C
0.8
T J = ? 55 ° C
1.6 2.4
3.2
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
0.8
0.6
V GS = 2.5 V
T J = 125 ° C
T J = 125 ° C
0.4
T J = 25 ° C
0.4
T J = 25 ° C
0.2
0
T J = ? 55 ° C
0.2
0
T J = ? 55 ° C
0
0.8 1.6
2.4
3.2
0
0.8 1.6
2.4
3.2
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
I D = 0.75 A
V GS = 2.5 V
100
80
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 4.5 V
60
40
20
C iss
C oss
C rss
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
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