- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTS4409NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTS4409NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 280mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTS4409NT1GOSDKR |
NTS4409N, NVS4409N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
Q G(TOT)
3.2
V GS = 0 V
4
3
V GS
2.4
2
Q GS
Q GD
1.6
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0
I D = 0.8 A
T J = 25 ° C
1.2
1.4
0.8
0
0
0.2
T J = 125 ° C
0.4 0.6
T J = 25 ° C
0.8 1
1.2
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTD1P02R2G | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO |
| NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
| NTTFS4821NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN |
| NTTFS4823NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| N-TS48 | 功能描述:烙铁 Nozzle TSOP-48 Pin OTHER REWORK RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included |
| NTS500 | 制造商:EMERSON-NETWORKPOWER 制造商全称:Emerson Network Power 功能描述:Active power factor correction |
| NTS500_09 | 制造商:EMERSON-NETWORKPOWER 制造商全称:Emerson Network Power 功能描述:Active power factor correction |
| NTS500-M | 制造商:EMERSON-NETWORKPOWER 制造商全称:Emerson Network Power 功能描述:Active power factor correction |
| NTS500-M_09 | 制造商:EMERSON-NETWORKPOWER 制造商全称:Emerson Network Power 功能描述:Active power factor correction |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。