型号: | NTTD4401F |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
英文描述: | FETKY Power MOSFET and Shottky Diode(20V,3.3A双功率MOSFET) |
中文描述: | FETKY功率MOSFET和肖特基二极管(20V的,3.3A双功率MOSFET的) |
文件页数: | 7/8页 |
文件大小: | 182K |
代理商: | NTTD4401F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NTTS2P02R2 | Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts Single P–Channel( -2.4 A, -20 V单P通道的功率MOSFET) |
NTTS2P03R2 | Power MOSFET -2.48 Amps, -30 Volts P-Channel Enhancement Mode(-2.48A,-30V,P沟道增强型MOS场效应管(D2PAK封装)) |
NTUD01N02 | Power MOSFET 100 mAmps, 20 Volts Dual N-Channel(100mA,20V,双N沟道增强型MOS场效应管(SC-88/SOT-363 封装)) |
NTV | 3kVDC Isolated 1W Dual Output SM DC-DC Converters |
NTV0515M | 3kVDC Isolated 1W Dual Output SM DC-DC Converters |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NTTD4401F_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
NTTD4401FR2 | 功能描述:MOSFET -20V -3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTTD4401FR2G | 功能描述:MOSFET -20V -3.3A P-Channel w/1A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTTFS3A08P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET .20 V, .14 A, Single P.Channel, 8FL |
NTTFS3A08PZTAG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |