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参数资料
| 型号： | NTTFS4930NTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 476pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 790mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4930N
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
40
10 V
8.5 V
6.5 V
4.4 V
T J = 25 ° C
4.5 V
4.2 V
40
30
V DS = 10 V
30
20
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
20
10
0
0
3.2 V
3.0 V
2.8 V
V GS = 2.6 V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
10
0
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.0340
0.0300
0.0260
0.0220
0.0180
0.0140
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.0100
3.0
4.0
5.0
6.0 7.0
8.0
9.0
10.0
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
3.8E ? 02
3.4E ? 02
3.0E ? 02
2.6E ? 02
2.2E ? 02
1.8E ? 02
1.4E ? 02
T = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1.0E ? 02
5
10
15
20
25
30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4932NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4932N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, μ8FL |
| NTTFS4932NTAG | 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4932NTWG | 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4937N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel, 8FL |
| NTTFS4937NTAG | 功能描述:MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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