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参数资料
| 型号： | NTTFS4930NTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 476pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 790mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4930N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
0 V < V GS < 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
10
9
8
7
6
5
4
I D = 12 A
3
R DS(on) Limit
0.1
Thermal Limit
Package Limit
0.01
0.1
1
10
dc
100
2
1
0
25
50
75
100
125
150
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
10
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4932NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4932N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, μ8FL |
| NTTFS4932NTAG | 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4932NTWG | 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4937N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel, 8FL |
| NTTFS4937NTAG | 功能描述:MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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