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参数资料
| 型号： | NTUD3169CZT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| 产品变化通告： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12.5pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTUD3169CZT5G-ND NTUD3169CZT5GOSTR |
NTUD3169CZ
TYPICAL CHARACTERISTICS (P ? CHANNEL)
18
16
14
C iss
1000
t d(off)
12
100
t f
10
8
6
C oss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
4
2
0
0
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
V DD = 10 V
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
10
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 17. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 18. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTUD3170NZT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTUD3170NZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N−Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT−963 Package |
| NTUD3170NZT5G | 功能描述:MOSFET 20V Trench N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD3171PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −200 mA, Dual P−Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package |
| NTUD3171PZT5G | 功能描述:MOSFET 20V Trench P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD3174NZT5G | 功能描述:MOSFET NFET SOT963 20V 280MA TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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