- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTZD3156CT5G (ON Semiconductor)MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTZD3156CT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA，430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 72pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTZD3156C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
N/P
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Total Gate Charge
Q G(TOT)
1.39
2.5
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Q G(TH)
Q GS
N
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V; I D = 540 mA
0.1
0.26
Gate ? to ? Drain Charge
Total Gate Charge
Q GD
Q G(TOT)
0.39
1.49
2.5
nC
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
P
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V; I D = ? 430 mA
0.1
0.3
0.37
SWITCHING CHARACTERISTICS (V GS = V) (Note 4)
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
t d(ON)
t r
t d(OFF)
N
V GS = 4.5 V, V DD = 10 V, I D = 540 mA,
R G = 10 W
7.7
5.3
21
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
P
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 10 V, I D = ? 430 mA,
R G = 10 W
10
9.2
6.5
29
19.5
ns
Drain ? Source Diode Characteristics
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
N
P
N
P
N
P
V GS = 0 V, T J = 25 ° C
V GS = 0 V, T J = 125 ° C
V GS = 0 V,
dIS/dt = 100 A/ m s
I S = 350 mA
I S = ? 350 mA
I S = 350 mA
I S = ? 350 mA
I S = 350 mA
I S = ? 350 mA
0.77
? 0.77
0.65
0.63
9.4
14.6
1.2
? 1.2
V
ns
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTZD5110NT5G | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563 |
| NTZS3151PT5G | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
| NV06P00472J-- | THERMISTOR NTC DISK 4.7KOHM 5% |
| NVB25P06T4G | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
| NVB6410ANT4G | MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTZD3158PT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SOT563 20V 430MA TR - Tape and Reel |
| NTZD5110N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563 |
| NTZD5110NT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563 |
| NTZD5110NT1G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD5110NT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。