参数资料
| 型号： | NUD3105LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 900 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 400mA |
| 电流 - 峰值输出： | 500mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3105LT1OSCT |
NUD3105, NUD3105D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
V GS(th)
R DS(on)
I DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
(V GS = V DS , I D = 1.0 mA)
(V GS = V DS , I D = 1.0 mA, T J = 85 ° C)
Drain to Source On ? Resistance
(I D = 250 mA, V GS = 3.0 V)
(I D = 500 mA, V GS = 3.0 V)
(I D = 500 mA, V GS = 5.0 V)
(I D = 500 mA, V GS = 3.0 V, T J =85 ° C)
(I D = 500 mA, V GS = 5.0 V, T J =85 ° C)
Output Continuous Current
(V DS = 0.25 V, V GS = 3.0 V)
(V DS = 0.25 V, V GS = 3.0 V, T J = 85 ° C)
Forward Transconductance
(V OUT = 5.0 V, I OUT = 0.25 A)
0.8
0.8
?
?
?
?
?
300
200
350
1.2
?
?
?
?
?
?
400
?
570
1.4
1.4
1.2
1.3
0.9
1.3
0.9
?
?
?
V
W
mA
mmhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
(V DS = 5.0 V,V GS = 0 V, f = 10 kHz)
Output Capacitance
(V DS = 5.0 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
Transfer Capacitance
(V DS = 5.0 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
?
?
?
25
37
8.0
?
?
?
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
t PHL
t PLH
t PHL
t PLH
t f
tr
t f
t r
Characteristic
Propagation Delay Times:
High to Low Propagation Delay; Figure 1 (5.0 V)
Low to High Propagation Delay; Figure 1 (5.0 V)
High to Low Propagation Delay; Figure 1 (3.0 V)
Low to High Propagation Delay; Figure 1 (3.0 V)
Transition Times:
Fall Time; Figure 1 (5.0 V)
Rise Time; Figure 1 (5.0 V)
Fall Time; Figure 1 (3.0 V)
Rise Time; Figure 1 (3.0 V)
Min
?
?
?
?
?
?
?
?
Typ
25
80
44
44
23
32
53
30
Max
?
?
?
?
?
?
?
?
Units
nS
nS
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NUD3112LT1 | IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3105LT1G | 功能描述:MOSFET 8V Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3112 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Relay, Inductive Load Driver |
| NUD3112_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Relay, Inductive Load Driver |
| NUD3112D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5 V Relay Driver Socket |
| NUD3112DMT1 | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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