参数资料
| 型号： | NUD3105LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 900 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 400mA |
| 电流 - 峰值输出： | 500mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3105LT1OSCT |
NUD3105, NUD3105D
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.2
40
1.1
1.0
125 ° C
35
30
0.9
85 ° C
25
V GS = 5.0 V
20
0.8
0.7
0.6
50 ° C
25 ° C
? 40 ° C
15
10
5
V GS = 3.0 V
0.5
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45
0.5
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 8. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Gate Leakage vs. Temperature
1.0
0.1
V GS = 3.0 V, T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
V (BR)DSS min = 6.0 V
I D ? Continuous = 0.5 A
DC
PW = 0.1 s
DC = 50%
PW = 10 ms
DC = 20%
PW = 7.0 ms
DC = 5%
Typical
I Z vs. V Z
0.01
0.01
0.1
1.0
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P d(pk)
0.01
PW
t 1
t 2
PERIOD
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE = t 1 /t 2
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
10,000
100,000
1,000,000
t1, PULSE WIDTH (ms)
Figure 11. Transient Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NUD3105LT1G | 功能描述:MOSFET 8V Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3112 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Relay, Inductive Load Driver |
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| NUD3112D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5 V Relay Driver Socket |
| NUD3112DMT1 | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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