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参数资料
| 型号： | NUD3124DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD DRVR AUTO SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroIntegration™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3124DMT1OSCT |
NUD3124, SZNUD3124
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
T A
T J
T STG
Operating Ambient Temperature
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Rating
Value
? 40 to 125
150
? 65 to 150
Unit
° C
° C
° C
P D
P D
R q JA
Total Power Dissipation (Note 5)
Derating above 25 ° C
Total Power Dissipation (Note 5)
Derating above 25 ° C
Thermal Resistance Junction–to–Ambient (Note 5)
SOT ? 23
SC ? 74
SOT ? 23
SC ? 74
225
1.8
380
3.0
556
329
mW
mW/ ° C
mW
mW/ ° C
° C/W
5. Mounted onto minimum pad board.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3124DMT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3124DMT1G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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| NUD3124LT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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