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参数资料
| 型号： | NUD3124DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD DRVR AUTO SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroIntegration™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3124DMT1OSCT |
NUD3124, SZNUD3124
1800
1600
1400
I D = 0.25 A
V GS = 3.0 V
0.20
0.18
0.16
0.14
I D = 250 m A
1200
1000
I D = 0.15 A
V GS = 3.0 V
0.12
0.10
0.08
125 ° C
85 ° C
25 ° C
? 40 ° C
800
0.06
600
I D = 0.15 A
V GS = 5.0 V
0.04
0.02
400
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
0.00
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. On Resistance Variation versus
Junction Temperature
36.0
35.5
35.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On Resistance Variation versus
Gate ? to ? Source Voltage
34.5
34.0
33.5
33.0
32.5
? 40 ° C
25 ° C
85 ° C
125 ° C
32.0
0.1
1.0
10
100
1000
I Z , ZENER CURRENT (mA)
Figure 12. Zener Clamp Voltage versus Zener
Current
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P d(pk)
0.01
PW
t 1
t 2
PERIOD
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE = t 1 /t 2
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
10,000
100,000
1,000,000
t1, PULSE WIDTH (ms)
Figure 13. Transient Thermal Response for NUD3124LT1G
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3124DMT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3124DMT1G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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| NUD3124LT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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