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参数资料
| 型号： | NUD3124DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD DRVR AUTO SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MicroIntegration™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 200mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3124DMT1OSCT |
NUD3124, SZNUD3124
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
V IH
V in
50%
0V
V out
t PHL
90%
50%
t PLH
V OH
25
20
15
10
5
10%
t f
Figure 1. Switching Waveforms
t r
V OL
0
1
10
100
P W , PULSE WIDTH (ms)
Figure 2. Maximum Non ? repetitive Surge
Power versus Pulse Width
Load Dump Pulse Not Suppressed:
T R
V R = 13.5 V Nominal ± 10%
V S = 60 V Nominal ± 10%
T = 300 ms Nominal ± 10%
T R = 1 ? 10 ms ± 10%
Load Dump Pulse Suppressed:
NOTE: Max. Voltage DUT is exposed to is
NOTE: approximately 45 V.
V S = 30 V ± 20%
T = 150 ms ± 20%
90%
10% of Peak;
Reference = V R , I R
10%
V R , I R
T
VS
Figure 3. Load Dump Waveform Definition
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3124DMT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3124DMT1G/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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| NUD3124LT1G | 功能描述:MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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